ANSI/IEEE C62.37-1996 可控硅二极管电泳保护装置标准试验规范
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时间:2024-05-02 21:59:57
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【英文标准名称】:StandardTestSpecificationforThyristorDiodeSurgeProtectiveDevices
【原文标准名称】:可控硅二极管电泳保护装置标准试验规范
【标准号】:ANSI/IEEEC62.37-1996
【标准状态】:现行
【国别】:美国
【发布日期】:1996
【实施或试行日期】:
【发布单位】:美国国家标准学会(US-ANSI)
【起草单位】:IEEE
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:电压保护;半导体;半导体闸流管
【英文主题词】:Definition;Definitions;Electricalengineering;Overvoltageprotection;Semiconductordevices;Semiconductors;Specification;Thyristors;Voltageprotection
【摘要】:Appliestotwoorthreeterminal,fourorfivelayer,thyristorsurgeprotectiondevices(SPDs)forapplicationonsystemswithvoltagesequaltoorlessthan1000Vrmsor1200Vdc.
【中国标准分类号】:K31
【国际标准分类号】:31_080_10;31_080_20;29_120_50
【页数】:
【正文语种】:英语
【原文标准名称】:可控硅二极管电泳保护装置标准试验规范
【标准号】:ANSI/IEEEC62.37-1996
【标准状态】:现行
【国别】:美国
【发布日期】:1996
【实施或试行日期】:
【发布单位】:美国国家标准学会(US-ANSI)
【起草单位】:IEEE
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:电压保护;半导体;半导体闸流管
【英文主题词】:Definition;Definitions;Electricalengineering;Overvoltageprotection;Semiconductordevices;Semiconductors;Specification;Thyristors;Voltageprotection
【摘要】:Appliestotwoorthreeterminal,fourorfivelayer,thyristorsurgeprotectiondevices(SPDs)forapplicationonsystemswithvoltagesequaltoorlessthan1000Vrmsor1200Vdc.
【中国标准分类号】:K31
【国际标准分类号】:31_080_10;31_080_20;29_120_50
【页数】:
【正文语种】:英语
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